等離子去膠機和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有*的能力:可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
等離子去膠機的工作原理：
等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應系統(tǒng)中，通入少量氧氣，加1500V高壓，由高頻信號發(fā)生器產生高頻信號，使石英管內形成強的電磁場，使氧氣電離，形成氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合物的等離子體的輝光柱?；罨酰ɑ顫姷脑討B(tài)氧）可以迅速地將聚酰亞胺膜氧化成為可揮發(fā)性氣體，被機械泵抽走，這樣就把硅片上的聚酰亞胺膜去除了。等離子去膠的優(yōu)點是去膠操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔、無劃痕、成本低、環(huán)保
電介質等離子體刻蝕設備一般使用電容耦合等離子體平行板反應器。在平行電極反應器中，反應離子刻蝕腔體采用了陰極面積小，陽極面積大的不對稱設計，被刻蝕物是被置于面積較小的電極上。在射頻電源所產生的熱運動作用下帶負電的自由電子因質量小、運動速度快，很快到達陰極；而正離子則由于質量大，速度慢不能在相同的時間內到達陰極,從而使陰極附近形成了帶負電的鞘層。正離子在鞘層的加速下，垂直轟擊硅片表面，加快表面的化學反應及反應生成物的脫離，導致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實現等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應氣體的種類和等離子體的激發(fā)方式。
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更新時間：2021-03-26 
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